本公司经过3年的努力，目前以及成功设计制造了多款碳化硅二极管及MOSFET，囊括TO-220，TO-247，TO-252，DFN 3X3，DFN 5X6等多种封装产品，欢迎垂询。更多碳化硅产品还在陆续研发中。碳化硅的带隙（band gap）大概是硅材料的3倍，单位面积的阻隔电压大概是7倍，电子迁移率的数值相差不大，热导率大概是3倍，电子漂移速度也大概是2倍。根据这些物理特性的表现，碳化硅可以运行更高的电压，达到更高的效率，使得功率器件满足轻薄短小的要求，同时具备更高的开关频率，从而实现更小的体积。此外，对于设计者和使用者，碳化硅还具有很好的散热性能，使得设计工作变得更加得心应手。
